第1621章 从40nm到27nm的跨越 (第2/2页)
　　
　　“……”
　　
　　就在这时，一直坐在控制电脑前的何修军突然站了起来。
　　
　　“张组长，最新一组测试数据已经处理完成！”
　　
　　他走到张汝宁同时也是走到栾文杰身边，汇报道：
　　
　　“193nm波长下，1800物镜组的等效数值孔径（NA）实测最大值为1.8009，最小值为1.7996，NA一致性达到±0.0013，该数值远优于我们设计指标要求的±0.006，也完全符合设计方案中理论NA值1.80的预期……”
　　
　　“全视场振幅极化量RMS（均方根值）实测最大11.85%，最小11.80%……”
　　
　　“全视场相位延迟量RMS实测最大3.77nm，最小3.45nm……”
　　
　　实际上，这里面的多数参数都是之前就已经测完的，而且往常也不需要他专门汇报一遍。
　　
　　报告导出来，大家分别翻阅就行了。
　　
　　但此刻面对亲临一线的栾文杰，这份详尽到几乎冗余的数据汇报，就显得格外“恰到好处”且分量十足。
　　
　　“等等。”
　　
　　果然，栾文杰打断了后续的参数报告。
　　
　　他既然是专程来考察光刻机，那对于这些基本参数自然有所了解。
　　
　　虽然被一大堆突然涌入的数据搞得有些头脑发胀，但还是敏锐地捕捉到了其中最关键的部分。
　　
　　NA值，1.80！
　　
　　“我记得之前提交上去的那份评估报告里，最高规格的数值孔径预估是1.70？”
　　
　　面对这个问题，张汝宁脸上露出一丝茫然。
　　
　　他并不清楚有个什么评估报告的事情。
　　
　　常浩南则立刻接过话头解释道：
　　
　　“栾主任，那份报告里使用的1.70数值，值是我们在进行不同技术路线横向比较时设定的……嗯……参照基准，当时为了公平对比，说明镥铝石榴石体系的优势，我设定的前提是其他所有条件，比如光源、视场、机械平台等都保持一致。”
　　
　　“但在实际设计过程中，因为物镜组的整体结构变得简单了很多，所以这套系统的底镜有效视场比之前的1500物镜组拓宽了大约15%……换句话说，在相同NA值要求下，光线通过物镜边缘区域的入射角度可以更小，这极大地减轻了设计超高NA系统时最难克服的边缘像差压力……”
　　
　　“……”
　　
　　“总之，”他最后总结道：“这0.1的额外提升，是设计自由度增加带来的实际工程红利，也是新方案综合优越性的直接体现。”
　　
　　栾文杰未必完全听懂了他的长篇大论，但眼前的结果显然令他心情大好：
　　
　　“所以常院士，刚才你提到华芯国际能以MPP工艺大批量生产新一代的7nm芯片，关键就在于这个1.80的NA值？”
　　
　　常浩南点头：“正是。”
　　
　　接着，又从旁边拿过一张表格递给对方：
　　
　　“1.80的数值孔径，相当于我们把193nm DUV光源的等效波长压缩到了107.22nm，对比NA值1.35的老体系，相当于把特征尺寸的理论极限从40nm一举推进到27nm左右！”
　　
　　栾文杰的视线表格上飞速移动，最终找到了27nm对应的节点尺寸——
　　
　　三星的5nm，或TSMC的7nm++，或英特尔的10nm。
　　
　　总之，已经是目前最强的一档。
　　
　　是过去一般认为，只有EUV光刻机才能够涉足的领域。
　　
　　看到对方的视线已经不再移动，常浩南终于给出了阶段性的结论：
　　
　　“这个能力，足以覆盖当前TSMC、三星等厂商定义的7nm，乃至未来3-5年内可能出现的更先进节点的全部生产需求！而且，都是依靠单次曝光工艺就能稳定实现的。”
　　
　　“更重要的是，ArF-1800光刻机的主体架构，除了这个革命性的物镜组以外，其余光源系统、精密工件台、掩模台以及对准器等核心子系统，都沿用了ArF-1500平台上的成熟设计，最大程度地保证了设备的可靠性用户的转产速度。”
　　
　　说到这里他稍作停顿，让栾文杰有些缓冲的时间。
　　
　　之后，又掷地有声地强调：
　　
　　“这意味着，一旦设备交付，华芯国际能够在最短时间内完成产线切换和产能爬坡，无需漫长的调试和适应期，供应链的每一个环节，从材料、设计到制造，都牢牢掌握在我们自己手中，稳定、安全、可控！”