第1622章 现在和未来，都是我们的 (第1/2页)
　　
　　或许是为了给这番论述一个直观的注脚，张汝宁走到测试平台旁，小心翼翼地从特制载物架上取下一片晶圆，交到栾文杰手中。
　　
　　经过特殊处理的硅片表面光滑如镜，肉眼看去并无特殊之处。
　　
　　但旁边的显示屏随之亮起，清晰地呈现出一个由无数细微线条构成的、边缘锐利无比的字母。
　　
　　“F”。
　　
　　“受限于这里的条件，我们没有完整的晶圆台和光刻胶处理线，无法制造出包含复杂电路的完整芯片。”张汝宁指着屏幕解释道，“但是，您看到的这个字母‘F’，其每一笔划的线宽，都是严格按照30nm的特征尺寸设计并光刻出来的。”
　　
　　他伸手轻轻点在屏幕上那个清晰锐利的“F”上，加重语气：
　　
　　“30nm，已经超过了TSMC当前7nm工艺所能达到的实际精度。”
　　
　　栾文杰双手捧着那片小小的晶圆，如同捧着一块稀世珍宝。
　　
　　尽管根本不可能分辨出30nm的细微线条，但他依旧看得无比专注——
　　
　　这手掌上的方寸之间，蕴含着足以撼动全球半导体、乃至全球科技格局的力量。
　　
　　沉默，持续了足有一分钟。
　　
　　终于，栾文杰长长地、极其缓慢地吁出一口气，动作轻柔地将晶圆交还给张汝宁。
　　
　　似乎还带着些许不舍。
　　
　　“这块晶圆，我们会做专门保存。”常浩南看出了对方的心思，出言道，“这是我们在半导体生产领域反超的起点，以后可以放进工建委的博物馆里。”
　　
　　说起这个，他突然想起了那块至今还放在地下仓库里面的B2碎片。
　　
　　“算了。”栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，“这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……”
　　
　　一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。
　　
　　但很快，他又话锋一转。
　　
　　“我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。”栾文杰提出了一个更长远的问题，“在当前硅基CMOS工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……”
　　
　　“是否意味着，未来我们这台ArF-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！”
　　
　　这个问题，张汝宁已经等待了很久。
　　
　　“跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的‘5nm’、‘3nm’这些节点名称，仍然是制程迭代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。”
　　
　　他解释道：
　　
　　“所谓‘5nm’节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25nm左右，至于‘3nm’，则可能对应到15-18nm区间。”
　　
　　张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
　　
　　“对于25nm的特征尺寸，ArF-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。”
　　
　　尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
　　
　　而张汝宁语气却变得慎重起来：
　　
　　“至于20nm以下级别的特征尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着芯片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，晶体管将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。”
　　
　　“一般认为这个临界尺寸会在10nm左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用EUV光刻机，要想稳定量产特征尺寸在20nm以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。”
　　
　　
　　
　　（本章未完，请点击下一页继续阅读）